
电镀设备电镀生产线(电镀设备电镀生产线图片)
我想建一个小型的电镀厂需要什么设备?
滚轴镀铬是电镀硬铬。产量小的话几个槽,铬槽用PVCA板内衬PVC软塑,整流机用周期换向,冷水机换热管和电加温棒一定要钛的。规模小设备预算5万内。成本根据镀层厚度,一般8毛每平方分米正规化建议自动龙门线设备预算30万左右。
电镀药水配方?
由于各种电镀液的配制方法和顺序是大致相同,通常遵循以下个基本要求:
1配位剂和主盐的加入顺序十分重要
(1)在镀槽中添5%左右体积的蒸馏水后,把计算量的配位剂和导电盐类等化学药品在搅拌条件下逐渐加入,使它溶解在水中,还应对电镀液及时进行加热或降温,促使化学药品全部溶解。
(2)把计算量的主盐类化学药品溶解在以上电镀液中,还可先在另一容器中用少量蒸馏水调成糊状后再加入。
主盐的加入要在加入配位剂后进行,充分保证主盐的溶解和配位化合。
(3)把添加剂、光亮剂等化学药品分别溶解在另外的容器中,再加入以上电镀掖中。
(4)补充蒸馏水达到规定体积,调整电镀液pH值后,再过滤、分析凋整、进行通电处理,试镀合格后应正常使用。
2配制电镀液时应注意的问题
(1)操作人员要穿戴好防毒、防酸、防碱的防护用品。
(2)配制氰化物等有毒电镀液,要严守安全操作规程。
(3)有毒电镀液的配制一定在良好通风设备运行的环境下进行。
(4)严格执行电镀液配制的工艺程序,遵守各组成物配制的顺序,如配位剂和主盐,酸与水等的先后顺序。
3电镀液的维护管理
要掌握维护电镀液和去除杂质的方法。电镀过程的操作非常复杂,生产过程中电镀液各组成成分的含量时刻在出现变化,因此,对电镀液进行严格的管理和维护是保证得到合格镀层的关键环节。所以,要注意以下几点:
(1)定期分析电镀液,要按分析结果对电镀液成分进行适当的调整。
要用蒸馏水或去离子水分别溶解计算所需量的各成分,按电镀液配制的先后顺序加入到镀槽中,再经过滤、通电处理、分析调整,试镀合格后就能正常使用。
(2)在电镀液使用过程中一定要定期过滤,排除有害杂质。
(3)光亮剂等添加剂的添加量要用霍尔槽试验的方法或按生产消耗定量添加。
(4)为减少由于阳极过量溶解而对电镀液造成污染,电镀过程中要使用阳极套。
电镀结束后,一定要把阳极板及时取出。在阳极出现钝化现象时要去除钝化膜,并通过对电镀液的分析调整消除阳极钝化。
晶圆电镀工艺流程?
据了解晶圆电镀工艺流程主要包括清洗、镀膜、显影、坚膜、电镀、清洗脱膜等步骤。通过这些步骤,制作出所需厚度的金属层,实现电路图案的制造。
其中,清洗是为了去除晶圆表面的杂质;镀膜是在表面覆盖一层薄膜;显影是用化学试剂将不需要的部分去除;坚膜是用化学方法强化需要保留的部分;电镀是利用电解反应在薄膜上沉积金属;清洗脱膜是最后清洗并脱离薄膜。
1脱氧提纯
沙子/石英经过脱氧提纯以后的得到含硅量25%的Si02二氧化硅。氧化硅经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并蒸馏后,得到纯度高达99%以上的晶体硅。晶体硅的纯度要求非常高,这也是造出晶圆昂贵的原因
。大家知道钻石是个什么玩意儿吗?钻石就是碳元素经过脱氧以及其他因素形成的元素排列独特且纯度高达99.64%以上的晶体。大家想想,晶圆比人造钻石便宜多了,感觉还是很划算的。
2制造晶棒
晶体硅经过高温成型,***用旋转拉伸的方法做成圆形的晶棒
3晶片分片
将晶棒横向切成厚度基本一致的晶圆片,Wafer。
4Wafer抛光
进行晶圆外观的打磨抛光。
5Wafer镀膜
通过高温,或者其他方式,使晶圆上产生一层Si02二氧化硅。Si02二氧化硅为绝缘材料,但有杂质和特殊处理的Si02二氧化硅有一定的导电性。这里Si02二氧化硅的作用是为了光的传导。就像用Si02二氧化硅做光导纤维一个道理。这是为了后面光刻
6上光刻胶
光刻胶和以前照相的胶片一个道理。Wafer上光刻胶,要求薄而平整。
7光刻(极紫光刻EVO)
将设计好的晶圆电路掩模,放置于光刻的紫外线下,下面再放置Wafer。在光刻的瞬间,在Wafer被光刻的部分的光刻胶融化,被刻上了电路图。去除光刻胶,光刻胶上的图案要与掩模上的图案一致。再次光刻。一个晶圆的电路要经过多次光刻。随着极紫光刻新技术出现,晶圆的光刻变得更精确,也更有效率了,甚至可以一次完成全部光刻了。
9电镀
基本上晶圆完成了,接下来要在晶圆上电镀一层硫酸铜。铜离子会从正极走向负极。
10抛光
打磨抛光Wafer表面,整个Wafer就已经制造成功了。
11晶圆切片】
将Wafer切成,单个晶圆Die。
12测
主要分三类:功能测试、性能测试、抗老化测试。具体有如:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、动态参数测试、 模拟信号参数测试等等。有坏的晶圆就报废,此为黑片;有一些测试没过,但不影响使用的分为白片,可以流出;而全部通过测试的为正片。
13包装入盒
先给Wafer覆膜,再将其插入黑盒子中。
14发往封测